關(guān)于半導體相關(guān)測試

　　半導體是一種常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料，它在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發(fā)電等眾多領(lǐng)域中都有應用，作為大部分電子產(chǎn)品核心單元需用到的材料，它的質(zhì)量直接影響著(zhù)整個(gè)系統運行。

　　功率放大器作為半導體測試系統中的重要組成部分，在半導體測試領(lǐng)域研究中起著(zhù)至關(guān)重要的作用。本次Aigtek安泰電子將過(guò)往部分半導體測試方向的實(shí)驗案例編輯為合集，希望能對廣大半導體領(lǐng)域的各位朋友有所幫助。

　　實(shí)驗案例展示

　　▼功率放大器在電容器內LED的高壓與無(wú)線(xiàn)驅動(dòng)應用

　　本實(shí)驗中，研究人員在摩擦納米發(fā)電機TENG的啟發(fā)下，提出了一種電容器內LED器件，采用信號發(fā)生器經(jīng)過(guò)功率放大器提供的信號測試，并將其與摩擦納米發(fā)電機輸出進(jìn)行對比，詳細解釋了TENG驅動(dòng)LED的工作機理，并提出一種電容器內LED結構，促進(jìn)TENG與交流LED的發(fā)展。

　　▼功率放大器在非導體接觸式μLED器件光電特性研究中的應用

　　本實(shí)驗依據GaN基微發(fā)光二極管(μLEDs)在超高分辨率顯示、微顯示、可見(jiàn)光通信、固態(tài)照明等方面有突出的優(yōu)勢，建立了非導體接觸式μLED模型，制備出相應的器件。針對這種新型結構的μLED，研究其在交流信號驅動(dòng)下的頻率-電壓、電流-電壓，發(fā)光強度等光電特性及其工作機理，為改善μLED器件結構、優(yōu)化工作模式提供理論指導。

　　▼高壓功率放大器在核磁共振振蕩器中的應用

　　本實(shí)驗提出了測量橫向弛豫時(shí)間τ2的方法，通過(guò)施加x軸方向的掃頻磁場(chǎng)，然后測量磁力儀在x軸方向的幅頻響應曲線(xiàn)，最后由幅頻響應曲線(xiàn)的3dB帶寬來(lái)得到τ2。實(shí)驗給出了基于微擾-迭代方法的詳細和嚴格的理論推導來(lái)論證此測量方法的合理性。然后，進(jìn)行了仿真實(shí)驗和實(shí)際實(shí)驗，結果可以驗證此測量方法的有效性和高準確性。

　　▼功率放大器在大功率脈沖電能源研究中的應用

　　本實(shí)驗為了在傳統的測量精度校準方法的基礎上，進(jìn)一步提升校準精度，針對大功率脈沖電流測量傳感器測量精度的問(wèn)題，提出一種高精度的校準方法。搭建大功率脈沖電流測量系統的實(shí)驗平臺，通過(guò)實(shí)驗驗證大功率脈沖電流測量傳感器的性能，主要對大功率脈沖電流測量傳感器的精度、穩定性、響應時(shí)間和電流幅值測量范圍進(jìn)行驗證。

　　▼高壓放大器在多波長(cháng)干涉相位同步解調方法研究中的應用

　　本實(shí)驗研究了基于激光相位分立調制的多波長(cháng)干涉相位同步解調方法，對FDM雙波長(cháng)干涉相位同步解調方法，進(jìn)行了仿真分析及實(shí)驗驗證。搭建了所提出的FDM雙波長(cháng)干涉測量光路，進(jìn)行了系統穩定性實(shí)驗、納米級位移測量實(shí)驗、納米級步進(jìn)非線(xiàn)性誤差實(shí)驗、兩位位移解調同步性實(shí)驗、動(dòng)態(tài)相位解調實(shí)驗。

西安安泰電子是專(zhuān)業(yè)從事功率放大器、高壓放大器、功率放大器模塊、功率信號源、射頻功率放大器、前置微小信號放大器、高精度電壓源、高精度電流源等電子測量?jì)x器研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的高科技企業(yè)，為用戶(hù)提供具有競爭力的測試方案。Aigtek已經(jīng)成為在業(yè)界擁有廣泛產(chǎn)品線(xiàn)，且具有相當規模的儀器設備供應商，樣機都支持免費試用。如想了解更多功率放大器等產(chǎn)品，請持續關(guān)注安泰電子官網(wǎng)www.aigtek.com或撥打029-88865020。